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封装：

TO-92
SOT-23(SOT-23-3)
SOIC-16
DIP-16
DIP-18
PQFN-8(5x6)
PowerDI-3333-8
PowerDI3333-8
SOIC-18_300mil
SOP-18_300mil
SOT-23
SOT-23-3
TO-220-3
TO-247AC-3
TO-252-2(DPAK)

图片
型号 | 品牌
描述
价格梯度含税单价
操作

S8050 J3Y
- 分类: 通用贴片三极管
- 型号: S8050 J3Y
- 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
- 封装: SOT-23(SOT-23-3)
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350,丝印J3Y
- 100+: ￥0.1483
- 1000+: ￥0.1187
- 个
- 合计：￥14.83

S9014
- 分类: 通用贴片三极管
- 型号: S9014
- 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
- 封装: SOT-23(SOT-23-3)
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：300@1mA,5V J6 250-400 NPN,Vceo=45V,Ic=0.1A,丝印J6
- 100+: ￥0.1017
- 1000+: ￥0.0814
- 个
- 合计：￥10.17

MMBT5401
- 分类: 通用贴片三极管
- 型号: MMBT5401
- 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
- 封装: SOT-23(SOT-23-3)
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：150V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V H档200-300 PNP,Vceo=-150V,Ic=-0.6A,hfe=200~300,丝印2L
- 100+: ￥0.1229
- 1000+: ￥0.0983
- 个
- 合计：￥12.29

MMBT5551
- 分类: 通用贴片三极管
- 型号: MMBT5551
- 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
- 封装: SOT-23(SOT-23-3)
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V G1 H档200-300 NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=200~300
- 100+: ￥0.1377
- 1000+: ￥0.1102
- 个
- 合计：￥13.77

S9013 J3
- 分类: 通用贴片三极管
- 型号: S9013 J3
- 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
- 封装: SOT-23(SOT-23-3)
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V (200-350) NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3
- 100+: ￥0.1229
- 1000+: ￥0.0983
- 个
- 合计：￥12.29

S8550 2TY
- 分类: 通用贴片三极管
- 型号: S8550 2TY
- 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
- 封装: SOT-23(SOT-23-3)
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW (200-350) PNP,Vceo=-25V,Ic=-0.5A,hfe=200~350,丝印2TY
- 100+: ￥0.1165
- 1000+: ￥0.0932
- 个
- 合计：￥11.65

ULN2003ADR
- 分类: 达林顿晶体管阵列
- 型号: ULN2003ADR
- 品牌: TI(德州仪器)
- 封装: SOIC-16
开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic)：13V@2V,300mA 集电极电流(Ic)：500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic)：1.6V@350mA ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

数据手册
- 1+: ￥1
- 10+: ￥0.78
- 30+: ￥0.68
- 个
- 合计：￥1

ULN2003AIDR
- 分类: 达林顿晶体管阵列
- 型号: ULN2003AIDR
- 品牌: TI(德州仪器)
- 封装: SOIC-16
ULN2003AI 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

数据手册
- 1+: ￥1.51
- 10+: ￥1.23
- 30+: ￥1.11
- 个
- 合计：￥1.51

ULN2003AN
- 分类: 达林顿晶体管阵列
- 型号: ULN2003AN
- 品牌: TI(德州仪器)
- 封装: DIP-16
ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列

数据手册
- 1+: ￥2.31
- 10+: ￥1.91
- 30+: ￥1.63
- 个
- 合计：￥2.31

ULN2003G-S16-R
- 分类: 达林顿晶体管阵列
- 型号: ULN2003G-S16-R
- 品牌: UTC(友顺)
- 封装: SOIC-16
达林顿驱动器，7通道（7-ch）

数据手册
- 1+: ￥0.85
- 10+: ￥0.7
- 30+: ￥0.62
- 个
- 合计：￥0.85

ULN2803G-S18-R
- 分类: 达林顿晶体管阵列
- 型号: ULN2803G-S18-R
- 品牌: UTC(友顺)
- 封装: SOIC-18_300mil
8个达林顿阵列

数据手册
- 1+: ￥1.71
- 10+: ￥1.38
- 30+: ￥1.25
- 个
- 合计：￥1.71

ULN2803G-D18-T
- 分类: 达林顿晶体管阵列
- 型号: ULN2803G-D18-T
- 品牌: UTC(友顺)
- 封装: DIP-18
达林顿驱动器，8通道（8-ch）

数据手册
- 1+: ￥1.84
- 10+: ￥1.51
- 28+: ￥1.37
- 个
- 合计：￥1.84

ULN2003D1013TR
- 分类: 达林顿晶体管阵列
- 型号: ULN2003D1013TR
- 品牌: ST(意法半导体)
- 封装: SOIC-16
达林顿驱动器，7通道（7-ch），输出电压：50V

数据手册
- 1+: ￥0.92
- 10+: ￥0.73
- 30+: ￥0.63
- 个
- 合计：￥0.92

ULN2003ADR2G
- 分类: 达林顿晶体管阵列
- 型号: ULN2003ADR2G
- 品牌: onsemi(安森美)
- 封装: SOIC-16
达林顿晶体管驱动器阵列这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0

数据手册
- 1+: ￥3.49
- 10+: ￥2.9
- 30+: ￥2.6
- 个
- 合计：￥3.49

ULN2803A
- 分类: 达林顿晶体管阵列
- 型号: ULN2803A
- 品牌: UMW(友台半导体)
- 封装: SOP-18_300mil
ULN2803A 达林顿晶体管阵列

数据手册
- 1+: ￥0.93
- 10+: ￥0.74
- 30+: ￥0.64
- 个
- 合计：￥0.93

MJD127
- 分类: 达林顿三极管
- 型号: MJD127
- 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
- 封装: TO-252-2(DPAK)
PNP,Vceo=-100V,Ic=-8A

数据手册
- 1+: ￥1.45
- 10+: ￥1.18
- 30+: ￥1.07
- 个
- 合计：￥1.45

BCV47
- 分类: 达林顿三极管
- 型号: BCV47
- 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
- 封装: SOT-23-3
NPN,Vceo=60V,Ic=0.5A

数据手册
- 1+: ￥0.3
- 10+: ￥0.25
- 30+: ￥0.22
- 个
- 合计：￥0.3

TIP122
- 分类: 达林顿三极管
- 型号: TIP122
- 品牌: ST(意法半导体)
- 封装: TO-220-3
类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：100V 集电极电流(Ic)：5A 功率(Pd)：2W 直流电流增益(hFE@Vce,Ic)：1000@3V,3A 厚片

数据手册
- 1+: ￥1.74
- 10+: ￥1.4
- 30+: ￥1.25
- 个
- 合计：￥1.74

S8050
- 分类: 通用插件三极管
- 型号: S8050
- 品牌: 国产
- 封装: TO-92
NPN三极管直插 TO-92, 集电极电流(Ic): 500mA 集射极击穿电压(Vceo): 25V
- 10+: ￥0.08
- 100+: ￥0.055
- 个
- 合计：￥0.8

S8550
- 分类: 通用插件三极管
- 型号: S8550
- 品牌: 国产
- 封装: TO-92
PNP三极管直插 TO-92, 集电极电流(Ic): 500mA 集射极击穿电压(Vceo): 25V
- 10+: ￥0.08
- 100+: ￥0.055
- 个
- 合计：￥0.8

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