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首页 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) >
类目： 
  • 场效应管(MOSFET)
更多
品牌： 
  • onsemi(安森美)
  • DIODES(美台)
  • Infineon(英飞凌)
更多
封装： 
  • PQFN-8(5x6)
  • PowerDI-3333-8
  • PowerDI3333-8
  • SOT-23
  • TO-247AC-3
更多

  •     图片
  • 型号 | 品牌
  • 描述
  • 价格梯度     含税单价
  • 操作

  • DMP6023LFGQ-13

  • 类型: 1个P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 7.7A 功率(Pd): 1W
    数据手册
    • 1+: ￥4.46
    • 10+: ￥3.64
    • 30+: ￥3.23
    • 个
    • 合计： ￥4.46

  • DMP6023LFGQ-7

  • 类型: 1个P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 7.7A 功率(Pd): 1W
    数据手册
    • 1+: ￥3.31
    • 10+: ￥2.69
    • 30+: ￥2.38
    • 个
    • 合计： ￥3.31

  • FDMS86181

  • 此N沟道MV MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
    数据手册
    • 1+: ￥13.07
    • 10+: ￥10.87
    • 30+: ￥9.5
    • 个
    • 合计： ￥13.07

  • NTR4503NT1G

  • 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 1.5A 功率(Pd): 420mW
    数据手册
    • 5+: ￥1.2566
    • 50+: ￥1.0217
    • 150+: ￥0.921
    • 个
    • 合计： ￥6.28

  • IRFP4468PBF

  • N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V
    数据手册
    • 1+: ￥15.61
    • 10+: ￥13.41
    • 30+: ￥12.03
    • 个
    • 合计： ￥15.61
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